第34回寄附講座セミナー

 日 時:  2014年4月18日(金)16時10分〜17時00分

 場 所:  創造テクノセンター棟 4階 マルチメディア室 
               
 講 師:  大阪大学 産業科学研究所 准教授 長谷川 繁彦 氏

 題 目:  『窒化物半導体ナノ構造の形成と電界放出型電子源への応用』

 要 旨:   III族窒化物半導体は優れた光学特性を有しており,LEDやLDなど
       の発光デバイスとして実用化されてきた.また,高い絶縁破壊電圧
       や大きな電子飽和ドリフト速度などの電気特性を活かしたパワーデ
       バイスや高周波デバイスに大きな期待が寄せられている.ウルツ鉱
       型であるIII族窒化物半導体は柱状成長しやすいため,ナノロッドと
       呼ばれる一次元構造体を形成しやすい.これらのナノ構造形成の目
       的の一つは,キャリア閉じ込め効果のもたらす電子的・光学的特性
       の向上にあり,電子デバイスや光デバイスの更なる進展が期待され
       ている.一方,本講演の主題である電界放出型電子源では,ナノス
       ケールの形状そのものがデバイス特性向上に直結している.
        GaNやAlNは,ワイドギャップ半導体の特徴として,電子親和力が
       低い(もしくは負)という特徴も併せ持っているため,有望な電子
       放出源材料でもある.本講演では,優れた電界放出型電子源とする
       にはナノ構造(ナノロッド)形成が不可欠であることを示し,ナノ
       ロッド形成過程や電子源アレイ作製などについて述べる.

司会・進行 : 阿南工業高等専門学校
        地域連携・テクノセンター
        寄附講座 材料工学(日亜化学)講座
        特別研究教授 塚本 史郎

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