第36回寄附講座セミナー

日 時 : 平成27年2月3日(火)14:00〜17:00
場 所 : 創造テクノセンター棟 4階 マルチメディア室 
主 催 : 阿南工業高等専門学校 地域連携・テクノセンター 寄附講座

●14:00〜15:00
 題 目 : 『これからのパワーエレクトロニクス』
 講 師 : 京都工芸繊維大学 ナノ材料・デバイス研究プロジェクトセンター
      (元パナソニック株式会社先端技術研究所長)
       特任教授 上田 大助 氏

 ワイドバンドギャップ半導体であるGaNは高耐圧特性と大きな電流駆動能力を両立でき
るばかりでなく、動作温度を高く出来る。このため、パワーデバイスへの展開が期待され
ている。これまで開発されたGaN系デバイスは電界効果トランジスタ(FET)である。これ
は自発分極の存在のためにNormally-ON型であることが多く、限定的な用途に留まってい
る。このため、Normally-OFF化のために、新たにGIT (gate Injection Transistor)が開発
されたは。 GITは従来のシリコンをベースにしたパワーデバイスを大きく凌駕する特性を
有している。今回のセミナーでは、最近のGaNデバイス開発の状況や、それを用いた省エネ
性の高い電力システムについて概説する。
 
●15:00〜16:00 
 題 目 : 『GaNを用いた大面積エレクトロニクスの展望』
 講 師 : 東京大学 生産技術研究所
       教授 藤岡 洋 氏

 GaNは優れた光学的特性や電気的特性を有しており、可視光LEDや高周波トランジスタ用の
材料として既に広く用いられている。しかしながら、GaNデバイスはサファイア等の高価な
単結晶基板を出発材料としMOCVD法による高価なプロセスを用いて製造されるため、コスト
が高く、その応用範囲は限られていた。最近我々は、安価なスパッタリング法を用いてデバ
イス・クオリティーのGaNを得る手法(PSD法)を開発した。この手法を用いると、MOCVD法
に比べて大幅に低い温度で高品質な結晶を得ることができる。本講演ではPSD法を金属フォ
イルやガラス板などの大面積基板に適用し大面積GaNフレキシブル・エレクトロニクスを創
出しようとする我々の取り組みの展望について述べる。

●16:00〜17:00
 題 目 : 『酸化物半導体SrTiO3を用いた電子的急峻界面の設計と放射光評価』
 講 師 : 高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所 放射光科学研究施設
       教授 組頭 広志 氏

 「元祖」ワイドギャップ半導体である量子常誘電体SrTiO3は興味深い特性を示すことから
古くから盛んに研究されてきた。さらに近年、酸化物ヘテロ構造研究の発展により、SrTiO3
の表面・界面においても興味深い現象が多々報告されるようになり、SrTiO3は新たな量子物
性の舞台として再び注目されている。本公演では、SrTiO3と他ペロブスカイト酸化物との界
面に「電子的に急峻な界面」を形成することを目的とした最近の研究成果について報告する。
特に、電子的急峻界面を実現する要となる、1)ペロブスカイト構造の特色を利用した界面
の層構造や幾何学的配置を設計・制御する方法や、2)その界面電子状態を評価する放射光
を用いた計測手法について紹介する。この「つくる」技術と「みる」技術の高いレベルでの
融合より、酸化物機能を設計する試みについて紹介する。

司会・進行 : 阿南工業高等専門学校
        地域連携・テクノセンター
        寄附講座 材料工学(日亜化学)講座
        特別研究教授 塚本 史郎

照 会 先 : 阿南工業高等専門学校
        地域連携・テクノセンター
        山口 美華(内線:245)

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